WES5302-111 GE 反射内存模块

GE WES5302-111反射内存模块

产品概述

GE WES5302-111是一款反射内存模块，用于存储数据和程序。它通常用于工业控制系统、数据采集系统和测试测量系统中，提供快速、可靠和安全的存储解决方案。GE是全球知名的电气设备制造商，他们的产品以高性能、高可靠性和安全性著称。WES5302-111反射内存模块采用坚固耐用的设计，可承受恶劣的环境条件，并具有多种功能，使其成为各种应用的理想选择。

产品参数

型号：WES5302-111

内存类型：DDR4 SDRAM

容量：2 GB

速度：2666 MHz

电压：1.2 V

工作温度范围：-40°C至85°C

存储温度范围：-55°C至125°C

湿度：5%至95%(非冷凝)

防护等级：IP67

尺寸：133 mm x 42 mm x 3 mm

重量：0.01 kg

产品规格

ECC：支持

功耗：最大4 W

系列

WES5302-111属于WES5300系列反射内存模块。该系列模块具有以下特点：

高性能

高可靠性

安全性高

特征

WES5302-111反射内存模块具有以下特征：

高速：2666 MHz速度

高容量：2 GB容量

低功耗：最大4 W功耗

支持ECC：提高数据完整性

坚固耐用：可承受恶劣的环境条件

易于安装和维护

作用

GE WES5302-111反射内存模块的作用是存储数据和程序。它可以帮助用户轻松地存储和访问控制系统、数据采集系统和测试测量系统所需的数据和程序。

用途

GE WES5302-111反射内存模块可用于各种应用，包括：

工业控制系统：存储控制程序和数据

数据采集系统：存储采集到的数据

测试测量系统：存储测试结果和数据

应用领域

GE WES5302-111反射内存模块可应用于以下领域：

制造业

能源

公用事业

交通运输

国防