UT 5507a

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描述

UT 5507a
FLASH的全称是FLASHEEPROM,但跟常规EEPROM的操作方法不同。
FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。
至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话,那是连基本概念都不对,只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计,就连MCU系统的基本结构都没掌握。在芯片的内电路中,FLASH和EEPROM不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同,不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上,程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构,甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”,但就算如此,概念上二者依然不同,这是基本常识问题。没有严谨的工作精神,根本无法成为真正的技术高手。
EEPROM:电可擦除可编程只读存储器,Flash的操作特性完全符合EEPROM的定义,属EEPROM无疑,首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM,现在的多数Flash手册上也是这么标明的,二者的关系是“白马”和“马”。至于为什么业界要区分二者,主要的原因是FlashEEPROM的操作方法和传统EEPROM截然不同,次要的原因是为了语言的简练,非正式文件和口语中FlashEEPROM就简称为Flash,这里要强调的是白马的“白”属性而非其“马”属性以区别Flash和传统EEPROM。
Flash的特点是结构简单,同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量下的操作速度更快,但缺点是操作过程麻烦,特别是在小数据量反复重写时,所以在MCU中Flash结构适于不需频繁改写的程序存储器。

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先介绍几点经验。
1、先通读一遍“系统手册”(不管能不能看懂,先了解个大概,以便学习编程时查找);
2、由位控逻辑入手,逐渐增加定时、计数等条件,把或、与、非关系理顺;
3、进而练习整数运算、实数运算、类型转换;
4、量程转换、PID调节回路的建立及P、I、D参数的理解(最好是有个物理回路验证,比如变频器+电机+测速传感器);
5、循环、顺序、跳转等程序控制(尽量避免跳转,非跳不可时也是跳的越近越好);
6、中断、通讯、位置控制....

本人以ABB工业机器人配件DSQC系列和Motorola MVME系列,GE 卡件 模块 驱动器系列为主攻。各位电工朋友可根据自己的条件选择适合自己的PLC品牌,由于PLC的基本框架大同小异,学会一种至于其它的学习起来也就简单了。